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首頁(yè) > 新聞中心 > 半導(dǎo)體量測(cè)領(lǐng)域新增量測(cè)設(shè)備!中圖儀器無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)正式發(fā)布

半導(dǎo)體量測(cè)領(lǐng)域新增量測(cè)設(shè)備!中圖儀器無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)正式發(fā)布

更新時(shí)間:2024-02-29      點(diǎn)擊次數(shù):515

在晶圓制造前道過(guò)程的不同工藝階段點(diǎn),往往需要對(duì)wafer進(jìn)行厚度(THK)、翹曲度(Warp)、膜厚、關(guān)鍵尺寸(CD)、套刻(Overlay)精度等量測(cè),以及缺陷檢測(cè)等;用于檢測(cè)每一步工藝后wafer加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),以及缺陷閾值下限,從而進(jìn)行工藝控制與良率管理。半導(dǎo)體前道量檢測(cè)設(shè)備,要求精度高、效率高、重復(fù)性好,量檢測(cè)設(shè)備一般會(huì)涉及光電探測(cè)、精密機(jī)械、電子與計(jì)算機(jī)技術(shù),因此在半導(dǎo)體設(shè)備中,技術(shù)難度高。


在wafer基材加工階段,從第一代硅,第二代砷化鎵到第三代也是現(xiàn)階段熱門(mén)的碳化硅、氮化鎵襯底都是通過(guò)晶錠切片、研磨、拋光后獲得,每片襯底在各工藝后及出廠前,都要對(duì)厚度、翹曲度、彎曲度、粗糙度等幾何形貌參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)量測(cè),需要相應(yīng)的幾何形貌量測(cè)設(shè)備。


下圖為國(guó)內(nèi)某頭部碳化硅企業(yè)產(chǎn)品規(guī)范,無(wú)論是production wafer,research wafer,還是dummy wafer,出廠前均要對(duì)幾何形貌參數(shù)進(jìn)行量測(cè),以保證同批、不同批次產(chǎn)品的一致性、穩(wěn)定性,也能防止后序工藝由于wafer warpage過(guò)大,產(chǎn)生碎片、裂片的情況。

圖片1.jpg


中圖儀器針對(duì)晶圓幾何形貌量測(cè)需求,基于在精密光學(xué)測(cè)量多年的技術(shù)積累,歷經(jīng)數(shù)載,自研了WD4000系列無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng),適用于線切、研磨、拋光工藝后,進(jìn)行wafer厚度(THK)、整體厚度變化(TTV)、翹曲度(Warp)、彎曲度(Bow)等相關(guān)幾何形貌數(shù)據(jù)測(cè)量,能夠提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等幾何形貌圖及系列參數(shù),有效監(jiān)測(cè)wafer形貌分布變化,從而及時(shí)管控與調(diào)整生產(chǎn)設(shè)備的工藝參數(shù),確保wafer生產(chǎn)穩(wěn)定且高效。


晶圓制造工藝環(huán)節(jié)復(fù)雜,前道制程所需要的量檢測(cè)設(shè)備種類多、技術(shù)難度高, 因此也是所有半導(dǎo)體設(shè)備賽道中壁壘最高的環(huán)節(jié)。伴隨半導(dǎo)體制程的演進(jìn),IC制造對(duì)于過(guò)程管控的要求越來(lái)越高,中圖儀器持續(xù)投入開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備,積極傾聽(tīng)客戶需求,不斷迭代技術(shù),WD4000系列在諸多頭部客戶端都獲得了良好反響!


千淘萬(wàn)漉雖辛苦,吹盡狂沙始到金。圖強(qiáng)鑄器、精準(zhǔn)制勝,中圖儀器與中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同成長(zhǎng)。

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